IGBT管的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE的耐压值为20V,在IGBT管加超出耐压值的电压时，会导致损坏的危险此外，在栅极发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT管发热乃至损坏在应用中，有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压，如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时（栅极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT管就会损坏为防止这类损坏情况发生，应在栅极一发射极之间接一只10千欧左右的电阻。

此外，由于IGBT管为MOS结构，对于静电就要十分注意因此，请注意下面几点：
　　
　　（1）在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部分当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电放电后，再触摸；
　　
　　（2）在用导电材料连接IGBT管的驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；
　　
　　（3）尽量在底板良好接地的情况下操作如焊接时，电烙铁要可靠接地在安装或更换IGBT管时，应十分重视IGBT管与散热片的接触面状态和拧紧程度，为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT管间涂抹导热硅脂，一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT管发热，从而发生故障，因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT管的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT管工作。
　　
　　igbt静态参数测试系统
　　
　　可测试IGBT参数包括ICES、BVCES、IGESF、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、
　　
　　GFS、rCE等全直流参数，所有小电流指标保证1%重复测试精度，大电流指标保证2%以内重复测试精度。
　　
　　主极电流可提供400A500A800A1250A大电流测试选项
　　
　　BR3500测试系统是一项高速多用途半导体分立器件智能测试系统。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力。可真实准确测试达十九大类二十七分类大、中、小功率的半导体分立器件。
　　
　　一、可测试种类
　　
　　1.二极管Diode
　　
　　2.稳压（齐纳）二极管Zener
　　
　　3.晶体管Transistor（NPN型/PNP型）
　　
　　4.可控硅整流器（普通晶闸管）SCR
　　
　　5.双向可控硅（双向晶闸管）TRIAC
　　
　　6.MOS场效应管PowerMOSFET（N-沟/P-沟）
　　
　　7.结型场效应管J-FET（N-沟/P-沟，耗尽型/增强型）
　　
　　8.三端稳压器REGULATOR（正电压/负电压，固定/可变）
　　
　　9.绝缘栅双极大功率晶体管IGBT（NPN型/PNP型）
　　
　　10.光电耦合器OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）
　　
　　11.光电逻辑器件OPTO-LOGIC
　　
　　12.光电开关管OPTO-SWITCH
　　
　　13.达林顿阵列
　　
　　14.固态过压保护器SSOVP
　　
　　15.硅触发开关STS
　　
　　16.继电器RELAY（A、B、C型）
　　
　　17.金属氧化物压变电阻MOV
　　
　　18.压变电阻VARISTO
　　
　　19.双向触发二极管DIAC
　　
　　二、技术参数及可实现目标
　　
　　主极电压：1000V通过内部设置可扩展到：2000V
　　
　　主极电流：50A加选件可扩展到：400A/500A/1000A/1250A
　　
　　控制极电压：20V加大电流台选件可扩展到：80V
　　
　　控制极电流：10A加大电流台选件可扩展到：40A
　　
　　电压分辨率：1mV
　　
　　电流分辨率：100pA加小电流台选件可扩展到：1pA
　　
　　编辑：Harris