如今，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管(IGBT)都可以提供有效的解决方案，以实现最终产品的高能效和高性能。在节能至上的市场上，电子设计人员首选可以实现高能效的器件，而且要针对不同应用选择合适的IGBT。推动高能效创新的安森美半导体提供丰富的分立式IGBT方案，广泛用于电磁炉、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和逆变电焊机等领域。
　　
　　IGBT技术概述
　　
　　IGBT有强耐能量冲击能力和强耐短路电流能力(5至10微秒)。现有IGBT包括沟道非穿通型(NPT)、沟道场截止型(FS)第一代和沟道场截止型第二代IGBT等类型。随着制造工艺的进步，开始采用50微米晶圆及金属背板，超薄晶圆及其背面处理工艺减少了IGBT的导通和开关损耗。
　　
　　对比沟道非穿通型和沟道场截止型IGBT可以发现，前者的电场强度在硅漂移区(n-FZ)线性递减到0，硅漂移区厚度与耐压成线性正比，因此具有高导通压降和高关断损耗;后者用N缓冲层减少了硅漂移区的厚度，实现了超薄晶圆，从而实现了低导通压降和低关断损耗(图1)。
　　
　　　　
　　从技术趋势看，6至8英寸晶圆的厚度在不断缩减，从最初的250μm到目前生产的100μm和75μm，还有50μm和40μm厚度正在研发当中。可以预期，今后IGBT的性能仍有望提高。
　　
　　编辑：Harris