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IRF1010EPBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 60V 81A
- 晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:81A
- 电压, Vds 最大:60V
- 在电阻RDS（上）:12mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
- 功率, Pd:170W
- 功耗:170W
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:2.54mm
- 晶体管数:1
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 漏极电流, Id 最大值:84A
- 热阻, 结至外壳 A:0.9°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 电流, Idm 脉冲:330A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:12mohm
- 针脚格式:1 g
- 2 d/插口
- 3 s
