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IRF1010EPBF MOSFET 场效应管

所在地区：深圳
发布时间：2010年10月25日
有效期至：2011年01月23日
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Specifications
Parameter	Value
Package	TO-220AB
Circuit	Discrete
VBRDSS (V)	60
VGs Max (V)	20
RDS(on) Max 10V (mOhms)	12.0
ID @ TC = 25C (A)	81
ID @ TC = 100C (A)	57
Qg Typ (nC)	86.6
Qgd Typ (nC)	29.3
Rth(JC) (K/W)	0.90
Power Dissipation @ TC = 25C (W)	170