即前不久瑞萨科技公司推出用于数码相机的DC/DC转换器M62298FP之后，经细心研发，瑞萨科技又推出12款适用于隔离式DC/DC整流器的第十代功率MOSFET，适用于服务器、通信设备、工业设备等电源供应器。新推出的功率MOSFET可降低开关损耗，提升能源效率并涵盖多种电压范围(40V、60V、80V、100V)。此次12款功率MOSFET采用了瑞萨科技的0.18μm第十代工艺，并已针对此应用优化。相较于瑞萨科技过去的产品(RJK1056DPB，可承受 100V电压)，栅漏负载电容器(Qgd)约降低50%。为了降低隔离式DC/DC整流器的耗电量，必须使功率MOSFET具有较低的栅漏负载电容器 (Qgd)，栅漏负载电容器是达到较低开关耗损的关键因素。

    隔离式DC/DC整流器的输入及输出电压，依据所采用之功率 MOSFET的电压耐受范围而定。在隔离组件方面，隔离式DC/DC整流器包含一个主要电源供应器做为输入端，以及次要电源供应器做为输出端。新款的功率 MOSFET包括承受电压80V及100V的产品，主要适用于输入端，另有承受电压40V及60V的产品，主要适用于输出端。

    新款MOSFET采用瑞萨科技经过实证的LEPAK高效能封装，可同时提供较低的封装阻抗及优异的散热特性，避免组件过热。相较于传统的SOP-8或类似封装，此种封装本身有助于产品的低损耗特性。内部的连接与框架直接相连，可降低封装电感并确保适用于高频率运作。