三菱电机公司近期于日本东京举办 “功率器件业务说明会”，公司专务执行董事、半导体及器件业务本部长久间和生公布了公司SiC功率半导体业务计划的有关内容。

公司计划从2011年度开始量产将SiC二极管与Si-IGBT组合在一起的混合型逆变器模块，并在该年度内首先配备到三菱电机制造的家电、产业设备以及太阳能发电系统等相关产品上。最初将用于面向日本国内市场的产品上。三菱电机目前使用该公司的功率器件工厂（福冈县福冈市）内的100mm晶圆产生线来量产SiC二极管，计划2013~2014年度量产将Si-IGBT换成SiCMOSFET的全SiC型逆变器模块。

三菱电机2009年12月在功率器件制作所内设立了处理能力为3000块/月的100mm晶圆试制生产线。该公司目前正在利用该生产线试制SiC二极管及SiCMOSFET，而且均获得了超过预想的高成品率，将来还打算利用150mm（6英寸）直径以上的晶圆来进行生产。该公司表示，虽然量产之初使用事先形成外延膜的外延晶圆，但为了提高器件质量的控制性，今后还将考虑采购裸晶圆，在公司内部形成外延膜。

对于配备SiC器件的逆变器模块的用途，该公司表示将配备在2011年度本公司生产的产品上，考虑的候选领域有3~4个。具体包括家电、产业设备、太阳能发电系统相关产品等。另外该公司还将积极推进模块的外销业务。从中长期看，在SiC器件的配备对象中汽车将占有相当大的比例。

至于在逆变器等功率半导体模块上的应用，该公司表示“现有GaN器件（的沟道）为横型，因此与纵型的SiC器件相比难以确保电流容量。不过，将来也有可能以实现在功率半导体模块上应用为目标展开相关开发”。