咨询QQ:
      杂志订阅

      编辑

      网管

      培训班

      市场部

      发行部

电话服务:
 010-82024981
欢迎, 客人   会员中心   帮助   合订本   发布信息
设为首页 | 收藏本页
瑞能半导体携新一代高性能、高密度电源技术亮相PCIM Europe2024
  • 当地时间6月11日至13日,全球领先的国际化功率器件品牌瑞能半导体(以下可简称为:瑞能),参加全球电力电子行业最负盛名的展览会之一的德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会(PCIM Europe),展出的产品阵容涵盖了瑞能最新的高性能、高效率、高功率的技术,以及诸如1200V碳化硅功率模块、650V/1200VSiCMOSFET、快恢复二极管、可控硅整流器、IGBT和其他可应用于工业,汽车,消费电子等领域的先进功率器件。

      当地时间6月11日至13日,全球领先的国际化功率器件品牌瑞能半导体(以下可简称为:瑞能),参加全球电力电子行业最负盛名的展览会之一的德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会(PCIM Europe),展出的产品阵容涵盖了瑞能最新的高性能、高效率、高功率的技术,以及诸如1200V碳化硅功率模块、650V/1200VSiCMOSFET、快恢复二极管、可控硅整流器、IGBT和其他可应用于工业,汽车,消费电子等领域的先进功率器件。
      
      PCIM Europe成立于1979年,是全球最大的功率半导体展会,也是展示电力电子技术和应用最新进展的重要平台。今年,瑞能以“Power Efficiency for a Cooler Planet”为主题,特别是展出的以可再生能源与电动汽车为重点应用场景的主推产品组合,受到了行业伙伴和现场观众的高度关注和认可。
      
      瑞能半导体CEO Markus Mosen先生表示,“五十余年的技术沉淀和积累,以及在技术和应用平台上的不断创新投入,瑞能半导体始终致力于研发可靠高效的电源控制技术,以支持高额定电压和高效、高性能的应用运行。在PCIMEurope2024,瑞能半导体会全方位展示当前重点聚焦的工业、汽车电子、可再生能源、大数据、消费电子等领域的研发成果,尤其是针对太阳能和风能存储、电动汽车车载充电桩,逆变器、大数据服务器等要求严苛的应用提供了不同的解决方案。在全球经济可持续发展大背景下,期待和广大朋友共话功率器件的高质量发展之路,同筑低碳未来。”
        
      瑞能半导体不断深耕专业技术,用产品诠释对创新的理解。在今年的PCIM Europe上,瑞能展台涵盖了如下亮点:
      
      全新系列的SiCMOSFET和SiC肖特基二极管(SBD)
      
      采用TSPAK封装的,适用于电动汽车充电、车载充电器(OBC)、光伏逆变器和高功率密度PSU应用。新型MOSFET有650V、750V、1200V和1700V四种型号,电阻范围从20mΩ到150mΩ。新型SiCSBD的电流范围为10至40A(650V、750V和1200V)。
      
      全新SiC功率模块
      
      半桥、四组、六组、双增压和NPC3L拓扑的SiC功率模块,主要针对于电动汽车充电、储能系统、电机驱动器、工业电源装置(PSU)、测试仪器和光伏逆变器。
      
      全新1700VSiC技术和汽车级1200V/750V车规SiCMOSFET
      
      提供多种封装选项和产品配置,包括表面贴装器件(SMD)分立器件和顶部冷却,实现可再生能源和电动汽车的高功率、高密度设计,是高效率功率电源方案的最佳选择。
      
      高可靠性晶闸管/二极管模块
      
      专为主流应用而设计,适用于UPS、逆变器、软启动器等工业应用,VDRM最高可达1600V,IT(有效值)最高可达250A。得益于其平面芯片技术和先进的模块制造能力,这些模块可采用半桥、并联、反并联或其他定制拓扑结构,并通过了JEDEC标准下的1000小时可靠性测试以及100%无铅测试,符合最高级别的欧盟RoHS标准。
      
      MOSFET系列产品
      
      产品覆盖击穿电压范围为600V、650V和800V的超级结MOSFET。采用8英寸晶圆技术的20V至30VMOSFET系列产品,性能优于传统的平面MOSFET。
      
      功率二极管系列产品
      
      产品阵容涵盖低VF产品阵容的额定电压为45V至2000V,额定电流为1A至100A。产品组合包括低VF肖特基整流器、标准二极管和超快恢复整流器。
      
      新一代IGBT产品
      
      IGBT系列产品具有极低的漏电流,在高温和低温结温条件下均具有出色的传导和开关特性。它们已通过高压H3TRB和100%偏压HTRB测试,最高结温可安全达到175°C。这些针对特定应用的IGBT经过了调整,以满足各种应用的精确需求,包括开关行为、传导损耗、短路能力、环境耐用性和续流二极管特性。1200V和650V变流产品包括裸芯片、分立元件和PIM,可提供给各种终端客户。
      
      随着时间的推移,推动创新、打磨产品并赢得竞争优势。作为一家功率半导体厂商,瑞能半导体在体系构建,产品认证,功率模块开发与制造等各个领域,已经做了充足的积累和准备,去拥抱充满不确定性的行业变化的浪潮。
      
      当下,瑞能半导体已将业务重点聚焦在工业和汽车电子,这两个功率半导体最大的应用市场。受益于全球“碳中和”政策,混合动力电动汽车和可再生能源未来五年复合年增长率超过20%,这可视为是功率半导体市场增长的重要引擎。
      
      Markus Mosen先生强调,“瑞能在打造低碳未来的进程中,会扮演好两个角色:一是自身生产运营中的降碳;另一个则更为重要,就是用自己的产品去助力其他企业、行业实现节能降碳,例如会采用效率更高的功率半导体或智能化模块,来改善转换效率带来的功率损失。”
      
      近期,瑞能车规推出车规级碳化硅MOSFET系列产品,以及基于最新技术平台开发的碳化硅二极管,硅MOSFET,不同封装的功率模块基于自身的功率模块厂的布局也会陆续推出。
      
      编辑:Harris
      
      

    当地时间6月11日至13日,全球领先的国际化功率器件品牌瑞能半导体(以下可简称为:瑞能),参加全球电力电子行业最负盛名的展览会之一的德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会(PCIM Europe),展出的产品阵容涵盖了瑞能最新的高性能、高效率、高功率的技术,以及诸如1200V碳化硅功率模块、650V/1200VSiCMOSFET、快恢复二极管、可控硅整流器、IGBT和其他可应用于工业,汽车,消费电子等领域的先进功率器件。