英飞凌开发出导通电阻仅为19m的650V耐压硅MOSFET
- 2013/5/20 8:49:00 作者：UPS应用 来源：UPS应用
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德国英飞凌科技（InfineonTechnologies）发布了采用超结（SuperJunction，SJ）构造、耐压为650V的硅MOSFET“CoolMOS”的新产品“C7”，并在2013年5月14～16日于德国纽伦堡举行的功率电子技术大会“PCIM2013”上进行了展示
德国英飞凌科技（InfineonTechnologies）发布了采用超结（SuperJunction，SJ）构造、耐压为650V的硅MOSFET“CoolMOS”的新产品“C7”，并在2013年5月14～16日于德国纽伦堡举行的功率电子技术大会“PCIM2013”上进行了展示。C7是该公司超结MOSFET的第七代产品。其最大特点是导通电阻较小。TO-247封装产品的导通电阻仅为19m，TO-220封装产品的导通电阻为45m。该公司表示，这些数值“在业界属于最小水平”。
C7设想用于要求高速开关的用途。比如，光伏发电系统、服务器、通信设备和UPS等。据悉，即使在开关频率为100kHz的用途，也可实现较高的频率。现已开始样品供货，预定从2013年6月开始量产。
编辑：Harris
德国英飞凌科技（InfineonTechnologies）发布了采用超结（SuperJunction，SJ）构造、耐压为650V的硅MOSFET“CoolMOS”的新产品“C7”，并在2013年5月14～16日于德国纽伦堡举行的功率电子技术大会“PCIM2013”上进行了展示
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