标准:*延续美系工艺标准，定位高端半导体芯片市场
*芯片全部在TJM下测试合格后出厂，严格禁止抽检。
*产品一致性非常好，出口芯片和内销芯片全部按订单按批次即时交货。
用户无需顾虑内销芯片经过等级筛选。
特点：* GE工艺标准产品通态压降低，具有很强的抗热疲劳特点，
25mm-55mm直径芯片特别适合封装压接式功率半导体模块
*芯片厚度等其他参数要求请咨询技术支持
|
规格直径 |
门极直径 |
阴极内径 |
阴极外径 |
IT(AV)
@Tc=70℃
|
VDRM
VRRM
|
ITSM
@TVJM
&10ms |
VTM
@ITM
&TC=25℃ |
TVJM |
|
mm |
mm |
mm |
mm |
A |
V |
KA |
V |
℃ |
|
25.4 |
2.7 |
5.2 |
20.5 |
200 |
100V-6500 |
5.0 |
1.4/500 |
125 |
|
30 |
2.7 |
5.2 |
25 |
300 |
100V-6500 |
5.5 |
1.5/900 |
125 |
|
30.48 |
2.7 |
5.2 |
25 |
400 |
100V-6500 |
6.3 |
1.8/1200 |
125 |
|
35 |
3.4 |
6.2 |
29 |
500 |
100V-6500 |
8.3 |
1.6/1500 |
125 |
|
38.1 |
3.4 |
6.2 |
31 |
600 |
100V-6500 |
10.2 |
1.85/1500 |
125 |
|
40 |
3.4 |
6.2 |
33 |
800 |
100V-6500 |
12.7 |
1.75/1500 |
125 |
|
50 |
3.4 |
8.8 |
43.8 |
1000 |
100V-6500 |
17.9 |
1.55/1500 |
125 |
|
55 |
3.4 |
8.8 |
47 |
1500 |
100V-6500 |
23.7 |
1.50/3000 |
125 |
|
63.5 |
6.2 |
10 |
55 |
2100 |
100V-6500 |
29.0 |
1.45/3000 |
125 |
|
76 |
6.2 |
10 |
67 |
3000 |
100V-6500 |
32.6 |
2.35/6000 |
125 |
|
85 |
6.2 |
10 |
76 |
3500 |
100V-6500 |
55.0 |
1.42/6000 |
125 |
|
99 |
6.2 |
11 |
88 |
4000 |
400V-5000 |
68.5 |
1.55/6000 |
125 |
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